雷擊浪涌抗擾度試驗(yàn)在電子設(shè)備中的測(cè)試設(shè)計(jì)
更新時(shí)間：2025-11-13 點(diǎn)擊次數(shù)：335
雷擊發(fā)生時(shí)，當(dāng)電子設(shè)備沿電源線或信號(hào)線傳輸時(shí)，強(qiáng)電流及其產(chǎn)生的電磁脈沖能夠通過(guò)傳導(dǎo)、感應(yīng)、耦合等方式產(chǎn)生過(guò)電壓，形成雷擊浪涌。通常，閃電會(huì)感知暴露電源線上的高電壓，這不僅會(huì)直接傳輸?shù)皆O(shè)備，而且當(dāng)電源線傳導(dǎo)時(shí)，電磁感應(yīng)的浪涌會(huì)與周?chē)男盘?hào)線耦合。這種浪涌會(huì)對(duì)電子產(chǎn)品造成很大的損害，所以產(chǎn)品需要有一定的浪涌抗干擾能力。
雷擊浪涌抗擾度主要考察電氣和電子設(shè)備對(duì)開(kāi)關(guān)和雷電瞬變過(guò)電壓引起的單極浪涌(沖擊)抗擾程度。
建立一個(gè)共同的基準(zhǔn)來(lái)評(píng)估電氣和電子設(shè)備在浪涌中的性能。通常，實(shí)驗(yàn)室測(cè)試是模擬雷擊干擾對(duì)設(shè)備的影響。浪涌是電流或電壓沿電源線或信號(hào)線傳播的快速升降。
電力系統(tǒng)開(kāi)關(guān)瞬態(tài)：
(1)與開(kāi)關(guān)器件(如晶閘管)相關(guān)的諧振現(xiàn)象；
(2)局部開(kāi)關(guān)動(dòng)作或負(fù)載變化較小的配電系統(tǒng)；
(3)電力系統(tǒng)的主要切換騷擾，如電容器的切換；
(4)設(shè)備組合對(duì)接地系統(tǒng)短路、電弧故障等各種系統(tǒng)故障。
(1)直擊雷，它擊中外部電路，注入的大電流通過(guò)接地電阻或外部電路阻抗而產(chǎn)生的電壓；
(2)附近耦合到設(shè)備組合接地系統(tǒng)的公共路徑時(shí)，附近直接對(duì)地放電的雷電電流產(chǎn)生感應(yīng)電壓；
(3)間接雷(即云層之間或云層中的雷擊或附近物體的雷擊產(chǎn)生的電磁場(chǎng))在建筑物內(nèi)和外導(dǎo)體上產(chǎn)生感應(yīng)電壓和電流。
●LPZ0A區(qū)域：該區(qū)域內(nèi)的所有物體都可能遭到直接雷擊，導(dǎo)致所有雷電電流；區(qū)域內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度沒(méi)有衰減。
●LPZ0B區(qū)域:區(qū)域內(nèi)的物體不能被與所選滾球半徑相對(duì)應(yīng)的雷電電流直接雷擊，但區(qū)域內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度沒(méi)有衰減。
●LPZ1區(qū):本區(qū)所有物體不能直接雷擊，流經(jīng)各種導(dǎo)體的電流比例不能直接雷擊LPZ0B面積較?。桓鶕?jù)屏蔽措施，該區(qū)域的電磁場(chǎng)強(qiáng)度可能會(huì)衰減。
●LPZ2后續(xù)防雷區(qū)：當(dāng)需要進(jìn)一步降低電流和電磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí)，應(yīng)增加后續(xù)防雷區(qū)，后續(xù)防雷區(qū)的要求應(yīng)根據(jù)需要保護(hù)的環(huán)境區(qū)域選擇。
1.組合波發(fā)生器，耦合/解耦網(wǎng)絡(luò)等輔助設(shè)備。
2.組合波發(fā)生器分為10/700μs和1.2/50μs兩種，對(duì)應(yīng)不同的端口類(lèi)型。
3.分類(lèi)
浪涌抗擾度試驗(yàn)分為：
(1)浪涌電壓抗擾試驗(yàn)(開(kāi)路電壓)
(2)浪涌電流抗擾試驗(yàn)(短路電流)
注：浪涌（Surge）抗干擾試驗(yàn)?zāi)M間接雷擊，不考慮直接雷擊或直接雷擊EUT絕緣能力耐高壓試驗(yàn)。
(1)建議使用10/7000通信網(wǎng)絡(luò)和長(zhǎng)距離信號(hào)電路端口μs沖擊波。常見(jiàn)的電子設(shè)備，如常見(jiàn)的電子設(shè)備，如RJ45，RS232，XDSL，RS485，安全攝像頭等。
(2)建議使用1個(gè)交直流電源端口和短距離信號(hào)電路端口1.2/50μs沖擊波。常見(jiàn)的電子設(shè)備，如常見(jiàn)的電子設(shè)備，如LED照明設(shè)備、基站等。
地址：深圳市寶安區(qū)裕安二路華豐商務(wù)大廈B403
郵箱：56fu@163.com
傳真：0755-22649338
當(dāng)前位置：
